基本信息：

申购单号：NCFPMLABS******19

签约时间：发布竞价结果后7天内签约合同

申购主题：SGKY******078-基于DUV光刻工艺的薄膜铌酸锂光芯片流片加工

送货时间：合同签订后60天内送达

采购单位：紫金山实验室

安装要求：免费上门安装（含材料费）

报价要求：国产含税

收货地址：江苏省/南京市/江宁区/****

发票类型：增值税专用发票

币种：人民币

预算：******

付款方式：货到验收合格后付全款，如有异议请备注。

备注说明：全包价包括不限于代工费、物料费等；交期，质保等必要信息请备注。

申购明细：

采购内容：基于DUV光刻工艺的薄膜铌酸锂光芯片流片加工

数量：2.0bolck

预算单价：

品牌：

型号：

规格参数：1. 供应商已发布成熟的晶圆级薄膜铌酸锂光芯片PDK，具备标准化量产能力，甲方基于PDK开展芯片设计。
2. 供应商晶圆级薄膜铌酸锂微纳工艺应处于国内领先水平，须有三年以上的标准化代工经验，以确保工艺稳定性以及芯片性能稳定性。
3. 已发布的PDK器件指标满足：脊形波导损耗≤0.5dB/cm，1×2MMI损耗≤0.2dB，2×2MMI损耗≤0.2dB，端面耦合器损耗1.5~2.5dB，波导交叉器损耗≤0.1dB；MZM调制器半波电压≤3V，带宽＞40GHz，整体插损≤8dB；热移相器方阻约6.25Ω。
4. 基于DUV光刻工艺的硅基薄膜铌酸锂MPW流片，block面积为4mm×20mm，交付数量为12个芯片Die。
5. 具备 “薄膜铌酸锂 + X”异质集成光电共性技术平台，为甲方未来多材料体系异质集成技术拓展提供平台支撑。

质保及售后服务：1、版图提交后的60个工作日内完成加工；
2、验收过程中，如服务工作及服务成果存在错误、缺陷或与约定不符的，立即采取纠正、补充或甲方要求的其他补救措施

附件：